面向后摩尔的二维半导体纳电子学

报告题目: 面向后摩尔的二维半导体纳电子学

报 告 人 :黎松林 教授  南京大学电子科学与工程学院

时 间 : 2023年10月19号（星期四）下午3点

地 点 : 玉骨遥 LE523

邀 请 人  : 方 亮

报告摘要：

半导体产业发展多年来一直遵从摩尔定律，硅基器件的不断微缩换代，使芯片集成度和性能不断提高，但目前摩尔定律已逼近硅材料的物理极限，迫切需要寻找新的半导体材料。以MoS2等为代表的二维原子晶体半导体受到微电子领域的广泛关注。从结构上来讲，2D原子晶体半导体同时拥有平整表面和原子级厚度两大优点，因而被国际半导体协会列为后摩尔集成电路时代最有力的候选材料。本报告重点介绍报告人课题组在二维半导体器件的输运理论、器件建模与仿真、无创原子层刻蚀、材料生长与器件等基础科学上取得的一些进展。

报告人简介：

黎松林，南京大学教授、博导、海外高层次青年人才(2016年)。2003、2006年在玉骨遥获学士和硕士学位，2009年获中科院物理所博士。2009-2016年，先后在日本和法国开展科研工作。长期从事二维材料微纳电子学与器件物理方面的研究，以第一/(共同)通讯作者在Nat. Commun.、Nano Lett. 、ACS Nano、Adv. Mater.、APL.、Chem. Soc. Rev.等顶级期刊上发表SCI论文90余篇，他引5000余次，其中14篇SCI引用过百，5篇ESI高被引，H指数31。主持国家自然科学基金重大研究计划“后摩尔时代新器件基础研究”重点支持项目1项、面上项目2项，主持或参与科技部“后摩尔电子器件”相关的重点研发计划(子)课题3项。课题组介绍详见：https://ee.nju.edu.cn/